Пример статьи на Шо
Шомлаи Артур
Шомлаи (Somlay) Артур (28.2.1883, Будапешт, — 10.11.1951, там же), венгерский артист, народный артист ВНР (1950). В 1900 окончил студию при театре "Вигсинхаз", работал во многих театрах Будапешта. Среди ролей: Гамлет, Лир ("Гамлет", "Король Лир" Шекспира), Егор Булычев ("Егор Булычев и другие" Горького), Тиборц и бан Петур ("Банк-бан" Катоны), судья Шари ("Судья Шари" Морица). С 1946 выступал в Национальном театре (Будапешт). С 1948 председатель Союза венгерских актёров. Премия имени Кошута (1948, 1951).
Шоссе
Шоссе (франц. chaussée), шоссейная дорога, название дороги с твёрдым покрытием, широко применявшееся с начала 19 до середины 20 вв. вместо названия "гужевая дорога". С 50-х гг. под Ш. понимают автомобильную дорогу с многослойной дорожной одеждой из уплотнённых щебёночных материалов, обработанных органических вяжущими ("чёрное" Ш.) или водой ("водосвязное" Ш.). Термин "Ш." сохраняется в названиях некоторых дорог (например, Горьковское Ш., Ленинградское Ш.), а также в быту. В научной и производственно-технической литературе вместо термина "Ш." используется более точный термин — "автомобильная дорога".
Шотки эффект
Шотки эффект, уменьшение работы выхода электронов из твёрдых тел под действием внешнего ускоряющего их электрического поля. Ш. э. проявляется в росте тока насыщения термоэлектронной эмиссии, в уменьшении энергии поверхностной ионизации (см. Ионная эмиссия) и в сдвиге порога фотоэлектронной эмиссии в сторону больших длин волн l Ш. э. возникает в полях Е, достаточных для рассасывания пространств. заряда у поверхности эмиттера (Е ~ 10 —100 в×см¾1), и существен до полей Е ~ 106 в. см¾1. При Е > 107 в×см¾1начинает преобладать просачивание электронов сквозь потенциальный барьер на границе тела (туннельная эмиссия).
Классическая теория Ш. э. для металлов создана немецким учёным В. Шотки (1914). Из-за большой электропроводности металла силовые линии электрического поля перпендикулярны его поверхности. Поэтому электрон с зарядом —е, находящийся на расстоянии х > а (а — межатомное расстояние) от поверхности, взаимодействует с ней так, как если бы он индуцировал в металле на глубине х своё "электрическое изображение", т. е. заряд +е. Сила их притяжения:
(1)
(eo — диэлектрическая проницаемость вакуума), потенциал этой силы (j э. и. = —е/16peох. Внешнее электрическое поле уменьшает j э. и. на величину Е. х (см. рис.); на границе металл — вакуум появляется потенциальный барьер с вершиной при х = хм = . При E £ 5.106в. см¾1 xm ³ 8Å. Уменьшение работы выхода F за счёт действия поля равно: , например при Е = 105в. см¾1 DF = 0,12 эв и хм=60 Å. В результате Ш. э. j экспоненциально возрастает от jo до , где к — Больцмана постоянная, а частотный порог фотоэмиссии сдвигается на величину:
. (2)
В случае, когда эмиттирующая поверхность неоднородна и на ней имеются "пятна" с различной работой выхода, над её поверхностью возникает электрическое поле "пятен". Это поле тормозит электроны, вылетающие из участков катода с меньшей, чем у соседних, работой выхода. Внешнее электрическое поле складывается с полем пятен и, возрастая, устраняет тормозящее действие последнего. Вследствие этого эмиссионный ток из неоднородного эмиттера растет при увеличении E быстрее, чем в случае однородного эмиттера (аномальный Ш. э.).
Влияние электрического поля на эмиссию электронов из полупроводников белее сложно. Электрическое поле проникает в них на большую глубину (от сотен до десятков тысяч атомных слоев). Поэтому заряд, индуцированный эмиттированным электроном, расположен не на поверхности, а в слое толщиной порядка радиуса экранирования rэ. Для х > rэсправедлива формула (1), но для полей Е во много раз меньших, чем у металлов (Е~102—104 в/см). Кроме того, внешнее электрическое поле, проникая в полупроводник, вызывает в нём перераспределение зарядов, что приводит к дополнительному уменьшению работы выхода. Обычно, однако, на поверхности полупроводников имеются поверхностные электронные состояния. При достаточной их плотности (~1013 см¾2) находящиеся в них электроны экранируют внешнее поле. В этом случае (если заполнение и опустошение поверхностных состояний под действием поля вылетающего электрона происходит достаточно быстро) Ш. э. такой же, как и в металлах. Ш. э. имеет место и при протекании тока через контакт металл — полупроводник (см. Шотки барьер, Шотки диод).
Лит.: Schottky W., "Physikalische Zeitschrift", 1914, Bd 15, S. 872; Добрецов Л. Н., Гомоюнова М. В., Эмиссионная электроника, М., 1966; Ненакаливаемые катоды, М., 1974.
Т. М. Лифшиц.